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AO4403_11 参数 Datasheet PDF下载

AO4403_11图片预览
型号: AO4403_11
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内容描述: 30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 273 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4403
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-15V
I
D
=-6A
4
电容(pF)
-V
GS
(伏)
1200
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
6
8
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
4
10
0
15
20
25
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
3
2
1
0
100.0
10µs
100µs
10000
R
DS ( ON)
有限
T
J(下最大)
=150°
C
T
A
=25°
C
10.0
1000
功率(W)的
-I
D
(安培)
1.0
T
J(下最大)
=150°
C
T
A
=25°
C
1ms
10ms
100
0.1
1s
10s
DC
10
0.0
0.1
1
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置
安全工作区(注F)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
R
θJA
=75°
C / W
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
0.001
0.00001
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
第七版: 2011年3月
www.aosmd.com
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