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AO4286 参数 Datasheet PDF下载

AO4286图片预览
型号: AO4286
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内容描述: 100V N沟道MOSFET [100V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 334 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4286
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=4A
8
电容(pF)
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100.0
10µs
10µs
0
0
40
60
80
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
20
100
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
(伏)
6
4
2
200
160
功率(W)的
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10.0
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
1.0
100µs
1ms
10ms
120
80
40
0.1
17
5
2
10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
(伏)
0
100
1000
0.0001 0.001
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
0
脉冲宽度(S )
18
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
0.01
0.1
1
10
100
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
R
θJA
=85°C/W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
冯0 : 2012年11月
www.aosmd.com
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