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型号: AO3705
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 151 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3705
P沟道增强型场效应晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO3705 / L采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷。肖特基
二极管被提供,以促进一个实施
双向无阻塞交换,或用于降压转换器
应用程序。
AO3705和AO3705L是电相同。
-RoHS投诉
-AO3705L是无卤
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -3.2A
(V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
< 70mΩ (V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
< 90mΩ (V
GS
= -2.5V)
R
DS ( ON)
< 110mΩ (V
GS
= -1.8V)
R
DS ( ON)
< 130mΩ (V
GS
= -1.5V)
肖特基
V
DS
(V)= 20V,我
F
= 1A ,V
F
<0.45V@1A
D
K
SOT-23-5
顶视图
G
S
A
1
2
3
5
4
D
K
G
S
A
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
-20
±8
-3.2
-2.5
-25
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数:热特性MOSFET
最大结点到环境
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
典型值
80.3
117
43
153
173
103
1.15
0.7
-55到150
20
1
0.5
10
0.66
0.42
V
A
W
°C
最大
110
150
80
190
220
140
单位
° C / W
t
10s
稳态
稳态
t
10s
稳态
稳态
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
° C / W
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