AO3434 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO3434
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 171 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO3434

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO3434采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。

这个装置是适合于用作负载开关或

在PWM应用。这是ESD保护。

标准产品AO3434是Pb-free （符合

ROHS &索尼259规格）。

特点

(V) = 30V

= 4.2A

DS （ ON）

< 52mΩ

DS （ ON）

< 75mΩ

= 10V)

= 4.5V)

ESD保护

TO-236

(SOT-23)

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

A，F

漏电流脉冲

功耗

符号10秒

4.2

, T

英镑

3.3

最大

稳态

±20

3.5

2.8

1.0

0.64

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

1.4

0.9

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

100

最大

125

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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