AO3434
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=4.2A
500
400
电容（pF）
C
国际空间站
300
200
C
OSS
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
10µs
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100µ
1m
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
DC
0.1s
10s
30
25
功率（W）的
20
15
10
5
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.0
0.1
0.0
0.01
1
V
DS
（伏）
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOSP
D
不承担任何责任ARISIG
0.1
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
T
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
