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AO3435_10 参数 Datasheet PDF下载

AO3435_10图片预览
型号: AO3435_10
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内容描述: 20V P沟道MOSFET [20V P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 183 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3435
20V P沟道MOSFET
概述
该AO3435采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.5V 。这
装置适用于在降压转换器的使用
应用程序。
产品概述
V
DS
= -20V
I
D
= -3.5A
R
DS ( ON)
< 70mΩ
R
DS ( ON)
< 90mΩ
R
DS ( ON)
< 110mΩ
R
DS ( ON)
< 130mΩ
(V
GS
= -4.5V)
(V
GS
=- 4.5V)
(V
GS
= -2.5V)
(V
GS
= -1.8V)
(V
GS
= -1.5V)
SOT23
顶视图
底部视图
D
D
D
S
G
S
G
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
10秒
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
稳定状态
-20
±8
-2.9
-2.3
-25
1
0.6
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
1.4
0.9
-3.5
-2.7
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
稳态
最大结对铅
C
-55到150
符号
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司