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型号: AO3434A
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 285 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3434A
30V N沟道MOSFET
概述
该AO3434A结合了先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关
和电池保护的应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=2.5V)
典型的ESD保护
30V
4A
< 52mΩ
<的60mΩ
< 78mΩ
HBM 3A级
SOT23
顶视图
底部视图
D
D
D
G
S
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
30
±12
4
3
20
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
版本1 : 2012年9月
www.aosmd.com
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