AO3422_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO3422_10
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 182 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO3422

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO3422采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。它提供

运行在一个很宽的栅极驱动范围从2.5V至

12V 。此装置适用于使用作为负载开关。

特点

(V) = 55V

= 2.1A （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 160mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

<在200mΩ （V

= 2.5V)

SOT23

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±12

2.1

1.7

1.25

0.8

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

115

最大

100

150

单位

° C / W

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