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AO3415A_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO3415A_11
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内容描述: 20V P沟道MOSFET [20V P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 325 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3415A
20V P沟道MOSFET
概述
该AO3415A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作
与栅极电压可低至1.8V 。此装置适用于
用作负载开关应用。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= -2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= -1.8V)
ESD保护
-20V
-4A
< 41mΩ
< 53mΩ
< 65mΩ
SOT23
顶视图
底部视图
D
D
D
G
S
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
-20
±8
-4
-3.5
-30
1.5
1
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
65
85
43
最大
80
100
52
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
第2版​​: 2011年9月
www.aosmd.com
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