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AO3415A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO3415A
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内容描述: 20V P沟道MOSFET [20V P-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管PC
文件页数/大小: 5 页 / 325 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3415A
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250µΑ
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
T
J
=125°
C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-4A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-2A
V
GS
= -1.5V ,我
D
=-1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-4A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.3
-30
34
49
42
52
61
20
-0.64
-1
-2
600
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
80
48
6
7.4
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-4A
0.8
1.3
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=2.5Ω,
R
=3Ω
I
F
= -4A ,的di / dt = 500A / μs的
1in
2
-20
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±10
-0.57
-0.9
41
59
53
65
µA
µA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
751
115
80
13
9.3
1
2.2
13
9
19
29
20
40
26
51
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
905
150
115
20
11
1.2
3.1
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ,的di / dt = 500A / μs的
32
62
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
第2版​​: 2011年9月
www.aosmd.com
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