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型号: AO3400
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 108 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3400
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO3400采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO3400是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。 AO3400L
是一种绿色产品订购选项。 AO3400和
AO3400L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 5.8 (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 28mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 33mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 52mΩ (V
GS
= 2.5V)
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
30
±12
5.8
4.9
30
1.4
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
C
最大结对铅
符号
A
A
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
65
85
43
最大
90
125
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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