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AO3401 参数 Datasheet PDF下载

AO3401图片预览
型号: AO3401
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内容描述: 30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 503 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3401
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-4.0A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3.7A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-2A
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
正向跨导
二极管的正向电压
脉冲体二极管电流
B
-30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±100
-0.5
-27
41
62
47
60
17
-0.7
-1
-2
-27
645
50
75
60
85
-0.9
-1.3
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
A
pF
pF
pF
V
DS
= -5V ,我
D
=-4.0A
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
4
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
80
55
7.8
14
12
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= -4.0A ,的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4.0A ,的di / dt = 100A / μs的
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V,
R
L
=3.75Ω, R
=3Ω
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-4.0A
7
1.5
2.5
6.5
3.5
41
9
11
3.5
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
第6版: 2011年2月
www.aosmd.com
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