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AAT3215IGV-25-T1 参数 Datasheet PDF下载

AAT3215IGV-25-T1图片预览
型号: AAT3215IGV-25-T1
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内容描述: 150毫安CMOS高性能LDO [150mA CMOS High Performance LDO]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 285 K
品牌: ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]
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AAT3215
150毫安CMOS高性能LDO
应用信息
等效串联电阻(ESR ) :
ESR是一个非常
重要的特性选择时要考虑的
电容。 ESR是内部串联电阻阿索
ciated用的电容器,其包括铅resist-
ANCE ,内部连接,尺寸和面积,材料
组合物和环境温度。通常
电容的ESR的单位是毫陶瓷
电容和范围可以超过几欧姆
钽或铝电解电容。
陶瓷电容器材料:
陶瓷电容器
小于0.1μF典型地由NPO制成或
COG材料。 NPO和COG材料是典型
美云紧公差随温度非常稳定。
更大的电容值通常是由
X7R , X5R , Z5U和Y5V介电材料。大
陶瓷电容器,通常大于2.2μF是
常在低成本Y5V和Z5U可用
电介质。这两种类型的材料不市盈率
ommended以来的用LDO稳压器的使用
电容的容差可以通过变化超过± 50 %
在工作温度范围内的装置。一
2.2μF Y5V电容器可以减少到1μF以上
温度,这可能会导致对电路问题
操作。 X7R和X5R电介质得多
可取的。 X7R的温度耐受性
介电比± 15 %为佳。
电容方面是另一个贡献者ESR 。
电容,体积较大的规模将有
一个较低的ESR相比,较小尺寸的
的等效材料和容量电容器
值。这些较大的设备可以提高电路的转录
相比于同等价值过性反应
电容器在更小的封装尺寸。
仔细咨询电容器供应商的数据表
选择电容的LDO稳压器时。
当LDO稳压器在关断模式下,
内部1.5kΩ电阻之间连接
V
OUT
和GND 。这是为了排出Ç
OUT
当LDO稳压器被禁用。内部
1.5kΩ上有时间上的设备转没有不利的影响。
短路保护
该AAT3215包含一个内部短路亲
tection电路将触发时,输出负载
电流超过内部阈值限制。下
短路条件下, LDO的输出稳压
荡器将电流限制,直到短路
条件从输出或LDO稳压除去
荡器封装的功耗超过了
设备热限制。
热保护
该AAT3215有一个内部热保护税务局局长
CUIT这将打开时,该设备死亡temper-
ATURE超过150℃ 。内部热保护
化电路将积极关断LDO稳压器
输出传递器件,以防止过度的可能性
冷害。 LDO稳压器的输出
仍将处于关机状态,直到内部芯片
温度降低到低于150 ℃的触发点。
短之间的结合和相互作用
电路及热保护系统允许的
LDO稳压器承受无限期短路
条件而不遭受永久性损坏。
空载稳定性
该AAT3215是专为保持输出电压
在操作NO-岁调控和稳定
负载条件。这是一个重要的特性
的应用场合,输出电流可能下降
到零。
反向输出至输入电压
条件和保护
正常工作条件下的寄生
的输出和输入之间存在二极管
LDO稳压器。输入电压要始终
仍大于输出负载电压main-
泰宁上的内部寄生反向偏压
二极管。条件下V
OUT
可能超过V
IN
应该避免,因为这将正向偏置
的内部寄生二极管,并允许过度
电流流入V
OUT
脚有可能损坏
LDO稳压器。
使能功能
该AAT3215提供一个LDO稳压器,启用/
禁用功能。该引脚( EN )为高电平有效,是
与CMOS逻辑兼容。为了保证LDO
监管机构将切换时, EN打开控制水平
必须大于2.0伏。 LDO稳压器
将进入禁止关断模式时,
电压EN引脚低于0.6伏。如果
使能功能,不需要在特定的应用
化,其可以连接到V
IN
保持LDO稳压
TOR在连续的状态。
3215.2002.03.0.91
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