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    AAT3215IGV-33-T1 参数 Datasheet PDF下载

    AAT3215IGV-33-T1图片预览
    型号： AAT3215IGV-33-T1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 150毫安CMOS高性能LDO [150mA CMOS High Performance LDO]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 285 K
    品牌： ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号AAT3215IGV-33-T1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AAT3215IGV-33-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AAT3215IGV-33-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AAT3215IGV-33-T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AAT3215IGV-33-T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AAT3215IGV-33-T1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AAT3215IGV-33-T1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AAT3215IGV-33-T1的Datasheet PDF文件第9页  
    AAT3215
    150毫安CMOS高性能LDO
    典型特征
    （除非另有说明，V
    IN
    = 5V ，T
    A
    = 25°C)
    漏失电压与温度的关系
    200
    3.1
    降特性
    I
    OUT
    =10mA
    I
    OUT
    =0mA
    I
    OUT
    =150mA
    2.9
    漏失电压（MV ）
    180
    160
    140
    120
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    -40
    -20
    I
    L
    =150mA
    3.0
    I
    L
    =100mA
    I
    L
    =50mA
    2.8
    I
    OUT
    =100mA
    I
    OUT
    =50mA
    2.9
    3.0
    3.1
    3.2
    3.3
    2.7
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    120
    温度（℃）
    VIN
    漏失电压与输出电流
    200
    120
    地电流与输入电压
    漏失电压（MV ）
    180
    160
    140
    120
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    0
    50
    100
    150
    V
    OUT
    =3.0V
    100
    I
    GND
    (µA)
    80
    60
    40
    20
    0
    2
    I
    OUT
    =0
    I
    OUT
    =5mA
    I
    OUT
    =150mA
    3
    4
    5
    输出电流（mA ）
    V
    IN
    地电流与温度的关系
    V
    OUT
    =3.0V
    105
    100
    3.014
    3.013
    输出电压与温度的关系
    输出电压
    0
    50
    100
    150
    I
    GND
    (µA)
    3.012
    3.011
    3.01
    3.009
    3.008
    95
    90
    85
    80
    -50
    3.007
    -50
    0
    50
    100
    150
    温度（℃）
    温度
    (°C)
    4
    3215.2002.03.0.91

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