aWt6172
表9 ：电气特性GSM850 EDGE模式
除非另有规定： V
BATT
= 3.6 V ，脉冲宽度= 1154μs ，占空比25 ％
Z
IN
= Z
OUT
= 50Ω, t
C
= 25°C ， BS = LOW ， TX_EN = HIGH ， VMODE = HIGH
参数
工作频率
(
F
o
)
民
824
28.5
20
26
17.5
29.0
24.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
31.5
28.5
-0.015
22
100
2
-38
-66
-79
-7
-50
-40
-35
-20
最大
849
-
-
-
-
34.0
34.0
-
-
-
5
-33
-58
-64
0
-20
-20
-15
-10
单位
兆赫
DBM
V
BIAS
=高
V
BIAS
= LOW
评论
线性P
OUT
（高功率模式）
线性P
OUT
（低功耗模式）
线性降级输出功率
L
D
_P
OUT
（高功率模式）
(1)
L
D
_P
OUT
（低功耗模式）
(2)
线性增益（高功率模式）
线性增益（低功耗模式）
增益变化
功率附加英法fi效率
ICQ （低功耗模式）
误差向量幅度（ EVM）的
线性
ACPR1
ACPR2
ACPR3
十字隔离
F
o
@ DCS / PCS口
2F
o
, 3F
o
@ DCS / PCS口
谐波
二次谐波（ 2F
o
)
三次谐波（ 3F
o
)
4F
o
到15F
o
DBM
dB
dB
分贝/
o
C
%
mA
%
符合规定的ACPR和EVM限制
额定条件下
V
BIAS
=高
V
BIAS
= LOW
-20
o
C
T
C
+85
o
C
P
OUT
= 28.5 dBm的
V
BIAS
= LOW
dBc的
P
OUT
＆ LT ;
28.5 dBm时， BW = 30 kHz的
F
o
200
千赫
F
o
400
千赫
F
o
600
千赫
DBM
P
OUT
＆ LT ;
28.5 dBm的
DBM
P
OUT
＆ LT ;
28.5 dBm的
输出负载VSWR = 6 ： 1的所有阶段，P
OUT
＆ LT ;
28.5 dBm的
稳定性（所有杂散）
-
-
耐用性
接收噪声功率
输入回波损耗
-
-
-36
-30
DBM
DBM
F
OUT
< 1 GHz时， RBW = 3兆赫
F
OUT
> 1 GHz时， RBW = 3兆赫
负载VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角;
P
OUT
28.5 dBm的
F
TX
= 849 MHz的RBW = 100千赫
F
RX
= 869到894MHz ，P
OUT
＆ LT ;
28.5 dBm的
没有退化，无损伤
-
-
-83
-
-80
DBM
2.5 ： 1 VSWR
注意事项：
(1) V
BIAS
=高，V
BATT
=范围（ 3.2 V
V
BATT
4.5 V ） ，温度=范围（ -20
o
C
T
C
+85
o
C).
(2) V
BIAS
=低，V
BATT
=范围（ 3.2 V
V
BATT
4.5 V ） ，温度=范围（ -20
o
C
T
C
+85
o
C).
初步数据表 - 1.4版
02/2009
9
ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
