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AS29LV800T-90TI 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV800T-90TI图片预览
型号: AS29LV800T-90TI
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内容描述: 3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM [3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 440 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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AS29LV800  
March 2001  
®
AC parameters — read cycle  
-70R  
-80  
-90  
-120  
JEDEC  
Std  
Symbol Symbol Parameter  
Min  
Max  
-
Min  
Max  
-
Min  
Max Min Max Unit  
tAVAV  
tAVQV  
tELQV  
tGLQV  
tRC  
tACC  
tCE  
Read cycle time  
70  
-
80  
-
90  
-
-
120  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address to output delay  
Chip enable to output  
70  
70  
30  
-
80  
80  
30  
-
90  
90  
35  
-
-
-
120  
120  
50  
-
-
-
-
tOE  
tOES  
tDF  
Output enable to output  
Output enable setup time  
Chip enable to output High Z  
Output enable to output High Z  
-
-
-
-
0
-
0
-
0
-
0
-
tEHQZ  
tGHQZ  
20  
20  
20  
20  
30  
30  
30  
30  
tDF  
-
-
-
-
Output hold time from addresses,  
first occurrence of CE or OE  
tAXQX  
tOH  
0
-
-
-
0
-
-
-
0
-
-
-
0
-
-
-
ns  
ns  
ns  
Output enable hold time: Read  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
tOEH  
tRH  
Output enable hold time:  
Toggle and data polling  
tPHQV  
RESET high to output delay  
-
-
50  
10  
-
-
-
50  
10  
-
-
-
50  
10  
-
-
-
50  
10  
-
ns  
µs  
ns  
tREADY RESET pin low to read mode  
tRP RESET pulse  
500  
500  
500  
500  
Read waveform  
t
RC  
Addresses stable  
Addresses  
CE  
t
ACC  
t
DF  
t
t
OES  
OE  
OE  
t
OEH  
WE  
t
t
OH  
CE  
High Z  
High Z  
Outputs  
Output valid  
t
RH  
RESET  
3/22/01; V.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 16 of 25  
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