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    AMS8205A 参数 Datasheet PDF下载

    AMS8205A图片预览
    型号： AMS8205A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超高密度电池设计极低的RDS （ ON） [Super high density cell design for extremely low RDS(ON)]
    分类和应用： 电池
    文件页数/大小： 7 页 / 780 K
    品牌： AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
     浏览型号AMS8205A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AMS8205A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AMS8205A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AMS8205A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AMS8205A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AMS8205A的Datasheet PDF文件第7页  
    AMS8205A
    电气特性
    （ TA = 25
    ℃
    除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿
    电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅压漏
    当前
    通态漏电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    二极管的正向电压
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    V
    SD
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    T
    D（上）
    t
    r
    T
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DS
    =8V,V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    V
    DD
    = 10V ， RL = 10Ω ，我
    D
    =1.0A,
    V
    根
    = 4.5V ， RG = 10Ω
    V
    DS
    =10V,V
    GS
    =4.5V,V
    DS
    =4A
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = VGS ，我
    D
    =250uA
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =+/-20V
    V
    DS
    =20V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =20V,V
    GS
    =0V
    T
    J
    =85℃
    V
    DS
    ≦5V,V
    GS
    =4.5V
    V
    GS
    =4.5V,I
    D
    =6.0A
    V
    GS
    =2.5V,I
    D
    =5.0A
    V
    DS
    =5V,I
    D
    =3.6A
    I
    S
    =1.7A,V
    GS
    =0V
    20
    0.6
    1.2
    ±100
    1
    5
    6
    0.024 0.030
    0.032 0.042
    10
    0.8
    10.5
    2.5
    2.1
    805
    155
    122
    14
    6
    45
    20
    pF
    nC
    1.2
    uA
    A
    Ω
    S
    V
    V
    V
    nA
    符号
    条件
    民
    典型值
    最大单位
    nS
    3
    先进的单片系统
    http://www.ams-semitech.com

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