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    RBR30T30ANZ

     RBR30T30ANZ是低VF的开关电源用肖特基势垒二极管。
    开关二极管
    0 ROHM

    NXH35C120L2C2ESG

     IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT - DBC with enhanced thermal conductivity
    双极性晶体管
    0 ONSEMI

    FDS8884

     N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，8.5A，23mΩ
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    GQM2195C2ER60WB12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GRM1882C1H130GA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GCM0335C1H470FA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
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    GCG1555G1H6R4BA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GRM188R71H332KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM188D70J226ME01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM2165C2A122GA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    MMSD485B

     小信号二极管
    信号二极管
    0 ONSEMI

    XDPS2201

     XDP™ 数字电源 XDPS2201是一种多模式、数字可配置的混合反激控制器，它结合了传统简化的反激拓扑结构和谐振变换器的性能。通过使用两个高压MOSFET，例如CoolMOSTM，混合反激XDPS2201控制器能够在不对称半桥反激拓扑中驱动高压侧和低压侧MOSFET。通过调节正负磁化电流的方法，可以在初级实现零电压开关和次级实现零电流开关，提高了效率。此外，变压器漏感能量被回收，更进一步提高效率。
    变压器开关反激控制驱动控制器高压
    0 INFINEON

    FGA15N120ANTDTU-F109

     IGBT，1200V，15A，NPT 沟槽
    栅双极性晶体管
    0 ONSEMI

    GRT188R60E226ME13#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    AIGW40N65H5

     IGBT TRENCHSTOP™ 5
    双极性晶体管
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