AMS2263MP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AMS2263MP
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内容描述：	Burst Mode功能，以提高 [Extended Burst Mode Control For Improved]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 775 K
品牌：	AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]

AMS 2263

检测输入不再需要。趋势/涌流

限比较器被禁止，因此无法打开

关闭消隐期间的外部MOSFET

期。 PWM占空比是由确定的

电流检测输入电压和FB输入

电压。

●内部

同步斜坡补偿

内置斜坡补偿电路增加电压

斜坡上的电流检测输入电压

PWM生成。这极大地提高了接近

环

稳定性

CCM

和

防止

该

次谐波振荡，从而降低了

输出纹波电压。

•

栅极驱动器

在较高增加了MOSFET栅极保护

比预期的VDD输入。

•

保护控制

ITS

RICH

保护

特点

INCLUDING

良好的电源系统的可靠性，实现

同

逐周期电流限制（ OCP ），过载

保护（ OLP ）和过

电压钳位，在

欠压锁定在VDD （ UVLO ）。

OCP的阈值跟踪的PWM占空比和

是线电压补偿，以实现恒

在通用输入电压的输出功率限制

范围内推荐的参考设计。

在过载条件下FB电压时，

超过功率极限阈值以上

TD_PL ，控制电路作出反应，以关闭

输出功率MOSFET。设备重新启动时

VDD电压低于UVLO门限。

VDD由变压器辅助绕组提供

输出。它被钳位在VDD高于

阈值。功率MOSFET关

下来当VDD低于UVLO门限和

设备进入上电启动程序

此后。

AMS2263

栅极被连接到一个外部

MOSFET栅极电源开关控制。太弱

该

门

DRIVE

实力

结果

更高

MOSFET的导通和开关损耗，同时也

强大的栅极驱动输出损害了EMI。

一个很好的权衡是通过内置的实现

图腾柱栅极驱动电路的设计，正确的输出力量

和死区时间控制。在低怠速损耗和良好的

EMI的系统设计是比较容易实现与本

专用控制方案。内部18V钳位

先进的单片系统

http://www.ams-semitech.com

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