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     N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mΩ
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    NVBG020N090SC1

     Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 900V, M2, D2PAK−7L
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     EconoPACK™2 1200 V, 75 A sixpack IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT3, Emitter Controlled  HE diode and NTC.
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