AMS1069
电气特性
（续）
V
IN
= 12V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
参数
输入欠压锁定
门槛
输入欠压锁定
阈值迟滞
软启动电流
软启动时间
热关断
符号条件
V
IN
升起
民
典型值
4.30
210
V
SS
= 0V
C
SS
= 0.1µF
6
15
160
最大
单位
V
mV
µA
ms
°C
引脚功能
针＃
1
2
名字
BS
IN
描述
高边栅极驱动升压输入。 BS提供了驱动高侧N沟道MOSFET
开关。连接一个10nF的或更大的电容，从软件到BS的高侧开关电源。
电源输入。在提供电源给IC ，以及所述降压转换器的开关。
驱动器具有一个4.75V至18V的电源。旁路至GND一个适当大的电容器
以消除对输入到IC的噪声。
电源开关输出。 SW为提供功率输出的交换节点。连
输出LC滤波器从SW到输出负载。需要注意的是电容需要从西南到
BS到电源的高侧开关。
地面上。
反馈输入。 FB的检测输出电压来调节该电压。驱动FB用
电阻分压器的输出电压。反馈的阈值是0.905V 。
补偿节点。 COMP用于补偿调节控制回路。连接
一系列的RC网络从COMP到GND ，以补偿调节控制回路。在一些
情况下，一个额外的电容器从COMP到GND是必需的。
使能输入。 EN是一个数字输入，轮流调节或关闭。驱动EN为高电平使
稳压器，驱动它来关闭它低。用100kΩ的电阻为自动启动拉起。
软启动控制输入。 SS控制软启动周期。从SS之间连接一个电容到GND
到设置在软启动周期。一个0.1μF的电容设定软启动期间，以15毫秒。要禁用
软启动功能，离开SS无关。
3
4
5
SW
GND
FB
6
COMP
7
8
EN
SS
3
先进的单片系统
http://www.ams-semitech.com
AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
