数据表AS1500 / 1 /2/3
AS1502 / AS1503 - 规格参数
VDD = 3V ±10 ％或5V ±10 ％ ，V
A
= VDD ，V
B
= 0V ， -40°C
≤
T
A
≤
+ 125 ℃，除非另有说明。
电气特性 - 50K和100K的VERSIONS
参数
符号
条件
直流特性变阻器模式
T
A
= 25°C ， VDD = 5V ， AS1502 ，版本： 50kΩ的
标称阻值
13
R
AB
T
A
= 25°C ， VDD = 5V ， AS1503 ，版本： 100kΩ的
14
电阻温度系数
∆R
AB
/ ΔT V
AB
= VDD ，雨刮=无连接
滑动端电阻
R
W
VDD = 5V
电阻差NL
15
R- DNL ř
WB
， VDD = 5V ，V
A
- 无连接
电阻积分NL
R- INL
R
WB
， VDD = 5V ，V
A
- 无连接
直流特性电位分压器
决议
N
VDD = 5.5V牛逼
A
= 25°C
积分非线性
INL
VDD = 2.7V牛逼
A
= 25°C
VDD = 5.5V牛逼
A
= 25°C
微分非线性
DNL
VDD = 2.7V牛逼
A
= 25°C
分压器温度系数
∆V
W
/ ΔT码= 80
H
满量程误差
V
WFSE
代码= FF
H
， VDD = 5.5V
零刻度误差
V
WZSE
码= 00
H
， VDD = 5.5V
电阻端子
电压范围
16
V
A，B ，W
17
AX ，BX
电容
C
A，B
F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 80
H
电容蜡质
C
W
F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 80
H
数字输入和输出
输入逻辑高
V
IH
VDD = 5V
输入逻辑低电平
V
IL
VDD = 5V
输入逻辑高
V
IH
VDD = 3V
输入逻辑低电平
V
IL
VDD = 3V
输入电流
I
IH
, I
IL
V
IN
= 5V或0V ， VDD = 5V
输入电容
C
IL
电源
电源电压范围
VDD
电源电流（ CMOS ）
国际直拨电话
V
IH
= VDD或V
IL
= 0V ， VDD = 5.5V
18
电源电流（ TTL ）
国际直拨电话
V
IH
= 2.4V或0.8V ， VDD = 5.5V
功耗
P
DISS
V
IH
= VDD或V
IL
= 0V ， VDD = 5.5V
（ CMOS）的
19
AS1502 ，版本： 50kΩ的
电源抑制
VDD = 5V， + 0.5V
P
PSSR
AS1503 ，版本：
正弦波@ 1kHz时
比
100kΩ
动态特性
20
BW_50k ř
WB
= 50kΩ的， VDD = 5V
带宽-3dB
带宽-3dB
BW_100k ř
WB
= 100kΩ的， VDD = 5V
总谐波失真
THD
W
V
A
= 1V
RMS
+ 2V
DC
, V
B
= 2V
DC
中，f = 1kHz时
R
WB
= 50kΩ的，V
A
= VDD ，V
B
= 0V ，± 1 ％误差
t
S
_50k
BAND
V
W
建立时间
R
WB
= 100kΩ的，V
A
= VDD ，V
B
= 0V ，± 1 ％误差
t
S
_100k
BAND
e
NWB
_50k ř
WB
= 50kΩ的中，f = 1kHz时
电阻的噪声电压
e
NWB
_100
R
WB
= 100kΩ的中，f = 1kHz时
k
表4 ：电气特性 - 50K和100K的版本
民
40
80
20
–1
–2
–4
–4
–1
–1
–1
0
0
典型值
12
50
100
500
100
±1/4
±1/2
8
±1
±1
±1/4
±1/4
15
–0.25
0.1
15
80
最大
60
120
200
+1
+2
+4
+4
+1
+1
0
1
VDD
单位
kΩ
kΩ
PPM /°C的
Ω
最低位
最低位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
V
V
V
V
µA
pF
V
µA
mA
µW
dB
dB
千赫
千赫
%
µs
µs
内华达州/
√
Hz
内华达州/
√
Hz
2.4
0.8
2.1
0.6
±1
5
2.7
0.1
0.9
-43
-48
220
110
0.003
9
18
20
29
5.5
1
4
27.5
待定。
待定。
标准结构代表平均读数在25 ° C和VDD = 5V 。
雨刮器没有连接。我
AB
= 70μA为50kΩ的版本和35μA为100kΩ的版本。
14
所有的温度系数由设计保证，不受生产测试。
15
A端未连接。我
W
= 70μA为50kΩ的版本和35μA为100kΩ的版本。
16
电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。
17
所有电容设计保证，不受生产测试。电阻端电容测试测量2.5V
偏压测量的终端上。其余的电阻器端子处于开路。
18
最坏情况下的电源电流消耗时，在2.4V输入逻辑电平， CMOS逻辑的标准特征。
19
P
双SS
从（IDD × VDD）的计算。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
20
所有的动态特性是由设计保证，不受生产测试。所有动态特性使用VDD = 5V 。
12
13
1.0修订版， 2004年10月
第4页8
AMSCO [ AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ]
