AS1371
数据表 - D E T A I L E D D E S·C R I P T I O 4 N
电源就绪和低电池侦测功能
的AS1371的电源返回或低电池检测电路被建立在一个N沟道MOSFET 。该电路监测
引脚SENSE下，如果电压的电压超出规定的（如在电压跌落，电流限制和热
关机）的POK脚变为低电平。销SENSE可以被连接到一个电阻分压器监视特定
可自定义的电压与内部参考电压进行比较。如果SENSE引脚连接到GND内部
电阻分压器被激活，并连接到所述输出。因此，上电行的功能，可实现与
不需要额外的外部元件。
开机行功能未激活关断期间，提供上电复位功能，可以向下运营
V
IN
= 1.2V 。一种电容器，到GND可以加入到产生一个上电复位延迟。为了获得一个逻辑电平输出，
从POK脚连接一个上拉电阻引脚输出。这个电阻值越大，将有助于最大限度地减少电流
消费; 100kΩ的电阻非常适合大多数应用程序
在左侧示出的电路
输入偏置电流成SENSE非常低，允许large-
阻值的电阻分压器网络，同时保持准确度。将电阻分压网络尽可能靠近器件的
可能。使用定义的电阻器的R
2
然后计算R
1
如：
V
IN
R
1
=
R
2
× ⎛
------------------ – 1
⎞
⎝
V
SENSE
⎠
其中：
V
SENSE
....是内部检测基准电压。对于价值观看
R
2 ....
是在分压电阻的预定的电阻。
（公式1）
若检测引脚连接到GND ，内部电阻分压器网络被激活，输出比较
把电压与94 ％ （典型值）的电压阈值。对于这种特殊的上电OK应用程序，无需外部电阻康波
堂费是必要的。
限流
该AS1371包括电流限制电路，防止短路情况。该电路监测和
控制所述P沟道MOSFET的栅极电压，从而限制了输出电流400mA的。所述P沟道MOSFET
输出可以被短路至地用于在不确定的时间周期，而不会损坏器件。
热过载保护
该器件通过集成的温度传感器电路免受热失控条件。热
关机是一种有效的手段，以防止芯片过热，因为功率晶体管是在原则热源
该设备。
如果结点温度超过150℃以15℃迟滞，热传感器启动关断逻辑，在该
点P沟道MOSFET被关断。之后，该设备温度约15℃ ，下降了
温度传感器将再次打开P沟道MOSFET上。需要注意的是，这将表现为下一个脉冲输出
连续热过载情况。
注意：
为+ 150℃的绝对最高结温不应连续操作过程中超出。
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修订1.04
9 - 14
AMSCO [ AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ]
