AS1334
数据表 - ê lectrical极特
6电气特性
T
A
= T
J
= -40°C至+ 85°C ; PV
IN
= VDD = EN = 3.6V ，除非另有说明。典型值。值是在T
A
=25°C.
表3.电气特性
符号
参数
条件
民
1.176
1.47
V
OUT
输出电压
PV
IN
= 3.6V
1.764
2.45
2.94
3.234
I
SHDN
I
Q
R
DSON （ P）
关断电源电流
直流偏置电流为VDD
引脚对引脚电阻用于PFET
EN = SW = 0V
1
2
典型值
1.2
1.5
1.8
2.5
3.0
3.3
0.01
1
140
最大单位
1.224
1.53
1.836
2.55
3.06
3.366
2
1.4
200
230
V
V
V
V
V
V
µA
mA
mΩ
FB = 0V ，无开关
I
SW
= 200毫安;牛逼
A
= +25°C
I
SW
= 200毫安
I
SW
= -200mA ;牛逼
A
= +25°C
I
SW
= -200mA
935
R
DSON （ N）
I
LIM ， PFET
V
OL
引脚对引脚电阻用于NFET
开关峰值电流限制
300
415
485
mΩ
mA
1100
1200
POK输出
POK输出低电压
POK下沉0.1毫安
0.05
0.2
500
87
90
93
V
nA
%
POK输出高漏电流POK = 3.6V
POK门槛
使能输入
V
IH ， EN
V
IL ， EN
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
5
1.2
上升沿，参考V
OUT （ NOM ）
V
0.5
10
V
µA
I
密码，启用
引脚下拉电流
振荡器
F
OSC
内部振荡器频率
1.8
2
2.2
兆赫
1.关断电流包括PFET的漏电流。
2. I
Q
此处指定的是，当部分工作在100％占空比。
系统特点
T
A
= 25℃ ; PV
IN
= VDD = EN = 3.6V ，除非另有说明。下面的参数是通过表征验证
而不是生产测试。
表4.系统特点
符号
T
_ON
η
参数
开启时间（从开启到低
高转换）
效率（ L = 3.3μH ， DCR
≤
100mΩ)
条件
EN =低到高，V
IN
= 4.2V ，C
OUT
=
10μF ，我
OUT
≤
1mA
V
IN
= 3.6V ，我
OUT
= 400毫安
V
IN
= 4.2V ，我
OUT
= 10mA至400毫安
最小典型最大
210 350
96
5
单位
µs
%
MVP -P
V
OUT
_ripple纹波电压， PWM模式
1
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修订1.04
4 - 17
AMSCO [ AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ]
