AS1109
数据表 - é lectrical极特
表3.电气特性（续）
符号
I
DD(OFF)0
I
DD(OFF)1
I
DD(OFF)2
I
DD(OFF)3
I
DD(ON)1
I
DD(ON)2
I
DD(ON)3
On
供应
当前
关闭
参数
条件
R
EXT
=开放， OUTN0 ： 7 =关
R
EXT
= 744Ω ， OUTN0 ： 7 =关
R
EXT
= 372Ω ， OUTN0 ： 7 =关
R
EXT
= 186Ω ， OUTN0 ： 7 =关
R
EXT
= 744Ω ， OUTN0 ： 7 =开
R
EXT
= 372Ω ， OUTN0 ： 7 =开
R
EXT
= 186Ω ， OUTN0 ： 7 =开
民
典型值
1.3
3.0
4.7
8.1
4.5
7.5
13.7
最大
2
3.68
5.37
8.73
5
8
15
mA
单位
开关特性
V
DD
= 3.0〜 5.5V ，V
DS
= 0.8V, V
IH
= V
DD
, V
IL
= GND ，R
EXT
= 372Ω, V
负载
= 4.0V ，R
负载
= 64Ω, C
负载
= 10pF的;瓜尔
设计及担。
表4.开关特性
符号
t
P1
t
P2
t
P3
t
P4
t
W（ CLK）
t
瓦特（L）的
t
W（ OE ）
t
R
*
*
参数
传播延迟时间
传播延迟时间（无
交错输出延迟）
传播延迟时间
脉冲宽度
最大CLK上升时间
最大CLK下降时间
输出上升的V时代
OUT
（关）
输出下降V的时间
OUT
（打开）
对于SDI建立时间
保持时间SDI
对于LD建立时间
保持时间为LD
最低OEN时间错误检测
交错输出延迟
输出使能设置时间
全局错误切换设置时间
全局错误检测建立时间
传播延迟全局错误标志
开关时间全球错误标志
最大时钟频率
（级联操作）
低电流测试模式
传播延迟时间
外部电阻反应时间
外部电阻反应时间
条件
CLK - SDO
LD - OUTNn
OEN - OUTNn
CLK
LD
OEN （ @I
OUT
< 60毫安）
民
典型值
5
100
100
最大
10
200
200
10
单位
ns
ns
ns
15
15
200
500
500
100
100
5
5
5
5
2000
20
20
10
10
5
10
30
50
3
0.05
0.5
0.5
5
0.1
1
1
40
200
300
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
µs
µs
µs
µs
t
F
t
OR
t
OF
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
SU（ L）
t
小时（ L）的
t
检测
t
雄鹿
t
SU（ OE）的
t
GSW （ ERROR ）
t
SU （ ERROR ）
t
P（ I / O）
t
SW （ ERROR ）
f
CLK
t
P3,ON
t
TP3,OFF
t
REXT2,1
t
REXT2,1
*
打开
关
从研发变革
EXT1
= 372Ω,
I
OUT1
= 50.52毫安至R
EXT2
=
37.2kΩ ，我
OUT2
＆ LT ; 1毫安
从研发变革
EXT1
= 37.2kΩ,
I
OUT1
= 0.5毫安至R
EXT2
=
372Ω, I
OUT2
> 25毫安
如果有多个AS1109器件级联和T
r
或T
f
是大的，也可能是至关重要的，以实现所需的数据的定时
两个串联的LED驱动器之间传输。
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修订版1.18
6 - 26
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