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型号: PI0512WS
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内容描述: 512像素的50毫米间距宽孔径光谱光电二极管阵列 [512-Pixel 50-mm-Pitch Wide Aperture Spectroscopic Photodiode Array]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 604 K
品牌: AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
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在正常操作期间,在或邻近该PN光电二极管结撞击光子
产生被收集和存储在所述结的耗尽层电容,自由电荷。
因为平均电荷的某一部分被产生和收集的每个撞击
光子收集电荷的数量将按比例配光曝光增加。
图3示出所存储的信号电荷的光曝光功能在一个波长
575纳米。曝光的光强度在纳瓦/厘米的产物
2
在与积分时间
秒。电荷的增加呈线性,直至达到饱和电荷,其中
对应的曝光是饱和曝光。
70
输出电荷( PC)
60
50
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
饱和
收费
饱和
曝光
曝光(新泽西州/平方公分)
图3.存储的信号电荷的曝光功能,在波长为。
575
的响应性被定义为饱和电荷通过饱和曝光分割的比例。该
一光电二极管的测量典型响应是3.3×10
-4
C /焦耳/平方厘米
2
在575纳米。图4示出了
光电二极管作为波长的函数的预测的响应。
5.0E-04
4.5E-04
4.0E-04
3.5E-04
3.0E-04
2.5E-04
2.0E-04
1.5E-04
1.0E-04
5.0E-05
0.0E+00
100
响应(C / J /平方公分)
QE=80%
QE=60%
QE=40%
QE=20%
300
500
700
900
波长(nm )
图4.预测光谱响应。
PI0512WS第3页8 - 2001年7月26日