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    AMIS-734256 参数 Datasheet PDF下载

    AMIS-734256图片预览
    型号： AMIS-734256
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    内容描述： 为25μm ，间距宽孔径光谱光电二极管阵列 [25レm-pitch Wide Aperture Spectroscopic Photodiode Arrays]
    分类和应用： 光电二极管光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 294 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AMIS-734256的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AMIS-734256的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AMIS-734256的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AMIS-734256的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AMIS-734256的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AMIS-734256的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AMIS-734256的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AMIS-734256的Datasheet PDF文件第9页  
    AMIS- 734256 ， AMIS- 734512 ， AMIS- 734024
    为25μm ，间距宽孔径光谱光电二极管阵列
    数据表
    在正常操作过程中，光子入射在或靠近NP结光电二极管产生的自由电荷，从而被收集并
    存储在结的耗尽层电容。收集的电荷的数量是成比例的曝光量。图3示出了
    所存储的信号电荷的光曝光功能，在575nm处的波长。曝光的光强度中的产物
    净重/厘米
    2
    和积分时间，单位为秒。电荷的增加呈线性，直至达到饱和电荷和相应的
    曝光是饱和曝光。有这第4.0节中描述了2饱和极限。
    的响应可以被计算为饱和电荷由饱和曝光分割。一个预测的典型响应
    光电二极管是1.5 × 10
    -4
    C /焦耳/平方厘米
    2
    在575nm处。图4示出了光电二极管作为波长的函数的预测的响应。
    图3 ：存储的信号电荷曝光功能，在575nm处的波长
    图4 ：预测光谱响应
    AMI半导体公司
    - 8月6日， M- 20603-001
    www.amis.com
    3

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