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    AMIS-732128 参数 Datasheet PDF下载

    AMIS-732128图片预览
    型号： AMIS-732128
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    内容描述： 为50μm ，间距宽孔径光谱光电二极管阵列 [50レm-pitch Wide Aperture Spectroscopic Photodiode Arrays]
    分类和应用： 光电二极管光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 285 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AMIS-732128的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AMIS-732128的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AMIS-732128的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AMIS-732128的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AMIS-732128的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AMIS-732128的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AMIS-732128的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AMIS-732128的Datasheet PDF文件第9页  
    AMIS- 732128 ， AMIS- 732256 ， AMIS- 732512
    为50μm ，间距宽孔径光谱光电二极管阵列
    数据表
    3.0传感器的特性
    AMI半导体公司的自我WSN扫描光电二极管的间距在50微米间距。线密度为20二极管/毫米，并相应地
    不同阵列的整体模的长度变化与光电二极管的数量。例如， 128像素阵列是6.4毫米长，则
    256像素阵列是12.8毫米长和512的像素阵列是25.6毫米长。每个阵列有四个额外的虚拟光电二极管。在每个
    侧，有一个黑色的（非成像）虚设光电二极管和一个成像虚拟用光电二极管。传感器的高度为2500μm 。
    在又高又窄的孔，使这些传感器可取的单色和光谱仪的使用。
    图2 ：几何光电二极管像素和布局
    在正常操作过程中，光子入射在或靠近NP结光电二极管产生被收集并存储在该自由电荷
    在结的耗尽层电容。收集的电荷的数量是成比例的曝光量。图3示出了
    存储的信号电荷的光曝光功能，在575nm处的波长。曝光的光强度中的产物
    2
    净重/厘米和积分时间，单位为秒。电荷的增加呈线性，直至达到饱和电荷，以及相应的
    曝光是饱和曝光。
    的响应可以被计算为饱和电荷通过饱和曝光分割。一个预测的典型响应
    -4
    2
    光电二极管是3.5 × 10 C /焦耳/平方厘米，在575nm处。图4示出了光电二极管作为波长的函数的预测的响应。
    AMI半导体公司
    - 12月5日， M- 20491-001
    www.amis.com
    2

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