AMIS- 39101 ：
与保护八路高端驱动器
数据表
8.3电气参数
长时间的工作范围以外的操作可能会影响器件的可靠性。总累计停留时间超过
最大工作额定电源或温度必须小于100小时。
下面的参数是独立的负载类型（参见8.4节） 。
8.3.1 。工作范围
表6 ：工作范围
符号
VDDN
Vdig_in
VS
(1)
描述
数字电源电压
在数字输入CLK ， PDB ， WR ， DIN电压
在引脚VS1到VS4 VS电源
环境温度
分钟。
3.1
-0.3
3.5
-40
马克斯。
5.5
VDDN
28
85
单位
V
V
V
°C
TAMB
注意：
(1)
该芯片的功耗必须限制不超过130 ° C的最高结温Tj 。
8.3.2 。电气特性
表7 ：电气特性
符号
描述
消费对VS空载电流
(1)
I_VS_norm
在操作PDB普通模式=高
VS和VDDN消费的操作掉电模式总和
(1)(2)
I_PDB_3.3
PDB =低， VDDN 3.3V ， VS = 24V ， 23 ° C的环境
CLK和WR处于VDDN电压
VS和VDDN消费的操作掉电模式总和
(1)(2)
I_PDB_5
PDB =低， VDDN 5V ， VS = 24V ， 23 ° C的环境
CLK和WR处于VDDN电压
I_PDB_MAX_VS
VS中运行PDB =低， VS = 28V掉电模式功耗
消费对VDDN
(1)
在操作PDB普通模式=高
I_VDDN_norm
CLK为500kHz ， VDDN = 5.5V ， VS = 28V
通过8电阻的输出驱动器1
吨VS = 24V （标称VS供电条件）
R_on_1..8
吨VS = 4.6V （最坏的情况下VS供电条件）
(1)
I_OUT_lim_x
内置过流限制HS驱动器输出
从HS驱动程序的OUTx引脚的时间短到GND和驱动程序
失活;驱动程序是关
T_shortGND_HSdoff
检测工作从VS最低的7V
VDDN最低为3V
(1)
TSD_H
高TSD阈值的结温（升温）
TSD_HYST
TSD滞后的结温
注意事项：
(1)
(2)
该芯片的功耗必须限制不超过最高结温Tj 。
上面提到的累计运行时间可能会造成永久性设备故障。
分钟。
马克斯。
3.5
25
单位
mA
µA
40
10
1.6
µA
µA
mA
0.65
5,4
130
9
1
3
2
Ω
Ω
A
µs
170
18
°C
°C
8.4加载特定的参数
高侧驱动器参数的具体载荷在以下几种规定：
A.参数感性负载高达350mH和T
环境
高达85 ℃的
B.参数感性负载高达300MH和T
环境
高达85 ℃的
C.参数阻性负载和T
环境
高达85 ℃的
AMI半导体公司
- 11月06日 - M- 20638-001
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