A25L80P
操作特性
网页编程
要设置一个数据字节，两个指令是必需的：写
使能（WREN ），这是一个字节，并且一个页编程（PP）的
序列，它由4个字节加上数据。这是
其次是内部编程周期的持续时间T （
PP
).
为了传播这种开销，页面编程（ PP ）指令
允许多达256个字节在一个时间被编程（改变
位从1变为0 ） ，只要它们存在于连续
地址的存储器的同一页上。
状态寄存器
状态寄存器包含了一些状态和控制
可以读取或设置（如适用）通过特定位
指令。
WIP位。
写在制品（WIP ）位指示
内存忙于写状态寄存器，编程或擦除
周期。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位指示状态
内部写使能锁存器，
BP2 ， BP1 ，
和
BP0位。
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。他们
限定的区域的大小被软件保护，以防止
编程和擦除指令。
SRWD位。
状态寄存器写禁止（ SRWD ）位
结合操作与写保护（
W
）信号。该
状态寄存器写禁止（ SRWD ）位和写保护
(
W
）信号允许该设备被放置在硬件
保护模式。在这种模式中，非挥发性的位
状态寄存器（ SRWD ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）变为只读
位。
扇区擦除和整体擦除
页面编程（ PP ）指令允许位从重置
1 0在此之前可以应用的存储器中的字节需
已被删除，以全1 （ FFH ） 。这可以实现，一
部门在同一时间，使用扇区擦除指令（SE） ，或
在整个内存，使用批量擦除（ BE ）
指令。这将启动一个内部擦除周期的持续时间T （
SE
or
t
BE
).
ERASE指令前必须有一个写使能
（ WREN）指令。
投票在写，编程或擦除周期
在写状态寄存器时间的进一步改进
（ WRSR ） ，计划（ PP ）或擦除（ SE或BE）就可以实现
不用等待最坏的情况下延迟（T
W
, t
PP
, t
SE
或T
BE
） 。该
写在制品（WIP ）位在状态寄存器提供
使得应用程序可以监视其值，轮询它
建立在以前的写周期，项目周期或
擦除周期完成。
保护模式
其中，非易失性存储器器件的环境
使用可以很嘈杂。没有SPI设备可以在正常运行
过量噪音的存在。为了帮助解决这个问题，在
A25L80P拥有以下数据保护机制：
上电复位和一个内部定时器（T
PUW
）可以提供
防止在电源疏忽造成的变化
供给是运行规范之外。
编程，擦除和写状态寄存器指令
检查它们由多个时钟脉冲的那
是8的倍数时，它们被接受之前
执行。
修改数据的所有指令前必须有一个
写使能（ WREN）指令来设置写使能
锁存器（ WEL ）位。该位被返回到它的复位状态
以下事件：
- 上电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成
- 写状态寄存器（ WRSR ）指令完成
- 页编程（ PP ）指令完成
- 扇区擦除（ SE ）指令完成
- 批量擦除（ BE ）指令完成
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位允许的部分
存储器被配置为只读。这是软件
保护模式（ SPM ） 。
写保护（
W
）信号，允许块保护（ BP2 ，
BP1 ， BP0 ）位和状态寄存器写禁止（ SRWD ）
位受到保护。这是硬件保护模式
（ HPM ） 。
除了低功耗的特征，深
掉电模式下提供额外的保护软件
疏忽造成写入，编程和擦除指令，所有
指令被忽略，除了一个特定的指令
（发布从深度掉电指令） 。
有源电力，待机功耗和深度
掉电模式
当片选（
S
）为低时，器件被使能，并在
有源功率模式。
当片选（
S
）为高，该设备被禁用，但也
留在有源模式下，直到所有的内部循环有
完成（编程，擦除，写状态寄存器） 。该装置
然后进入到待机功耗模式。该装置
消耗下降至我
CC1
.
深度掉电模式时输入特定的
指令（在进入深度掉电模式（ DP ）指令）
被执行。该器件消耗进一步下降到我
CC2
。该
器件将保持在该模式下，直到另一个特定的指令
（发布从深度掉电模式和读取
电子签名（ RES ）指令）执行。
所有其它指令被忽略，而该设备在
深度掉电模式。这可以作为一个额外的
软件保护机制中，当设备不在
积极利用，以保护器件免受意外写，
编程或擦除指令。
初步
（ 2005年5月，版本0.0 ）
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AMIC Technology公司
AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
