A25L80P
说明
所有指令，地址和数据被移入和移出
设备，最显著位第一。
串行数据输入（D ）进行采样的第一个上升沿
串行时钟（ C）片选后（
S
）被拉低。然后，将
一字节指令代码必须移入到设备上，最
第一显著位，串行数据输入（ D）中，各比特是
锁存串行时钟（ C）的上升沿。
该指令集被列在表3中。
每个指令序列开始的一个字节的指令
代码。根据不同的指令，这可以接着
地址字节，或由数据字节，或由两者或无。
在读数据字节的情况下（READ ） ，读数据的字节
更高的速度（ FAST_READ ） ，读状态寄存器（ RDSR ）或
从深度掉电释放，读取设备标识
和阅读电子签名（ RES ）指令，移位式
指令序列，之后是数据输出序列。芯片
选择（
S
）后的数据的任何位都可以被驱动的高
序列被移出。
在一个页面编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ）的情况下，散装
擦除（ BE ） ，写状态寄存器（ WRSR ） ，写使能
（ WREN ） ，写禁止（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）
指令，片选（
S
）必须在驱动高精确地
字节边界，否则该指令被拒绝，并且是不
执行。也就是说，片选（
S
）必须驱动为高电平时，
片选后的时钟脉冲数（
S
）驱动为低电平
是8的整数倍。
所有试图在写状态来访问存储阵列
注册周期，项目周期或擦除周期被忽略，
内部写状态寄存器周期，项目周期或
擦除周期继续不受影响。
表3.指令集
指令
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
FAST_READ
PP
SE
BE
DP
RDID
水库
描述
写使能
写禁止
读状态寄存器
写状态寄存器
读取数据字节
读数据字节以更快的速度
页编程
扇区擦除
批量擦除
深度掉电
读取设备识别
从深度掉电释放，
和阅读电子签名
从深度掉电发布
单字节指令代码
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 1011
0000 0010
1101 1000
1100 0111
1011 1001
1001 1111
1010 1011
06h
04h
05h
01h
03h
0Bh
02h
D8h
C7h
B9h
9Fh
ABH
地址
字节
0
0
0
0
3
3
3
3
0
0
0
0
0
DUMMY
字节
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
3
0
数据字节
0
0
1
∞
1
1
∞
1
∞
1 256
0
0
0
1至3个
1
∞
0
初步
（ 2005年5月，版本0.0 ）
8
AMIC Technology公司
AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
