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LP62S16256EV-70LLT 参数 Datasheet PDF下载

LP62S16256EV-70LLT图片预览
型号: LP62S16256EV-70LLT
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内容描述: 256K x 16位的低电压CMOS SRAM [256K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 168 K
品牌: AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
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LP62S16256E-T Series  
Timing Waveforms (continued)  
Write Cycle 3  
(Byte Enable Controlled)  
tWC  
Address  
tAW  
tCW  
CE  
3
tWR  
1
2
tAS  
tBW  
HB, LB  
tWP  
WE  
tDH  
tDW  
DATA IN  
4
tWHZ  
tOW  
DATA OUT  
Notes: 1. tAS is measured from the address valid to the beginning of Write.  
2. A Write occurs during the overlap (tWP, tBW) of a low CE , WE and (HB and , or LB ).  
3. tWR is measured from the earliest of CE or WE or (HB and , or LB ) going high to the end of the Write cycle.  
4. OE level is high or low.  
5. Transition is measured ±500mV from steady state. This parameter is sampled and not 100% tested.  
(January, 2002, Version 2.0)  
11  
AMIC Technology, Inc.