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    GRM0115C1C100GE01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    UDZLVFH91

     UDZLVFH系列是高电压型齐纳二极管，备有齐纳电压51～150V的产品。保证了高抗浪涌性，适合车载的ECU电源部分的恒电压控制用途。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。
    二极管齐纳二极管
    1 ROHM

    BM61M22BFJ-C

     本品为内置绝缘电压2500Vrms、最大输入输出延迟时间60ns、最小输入脉冲宽度60ns的绝缘元件的栅极驱动器。内置低电压时误动作防止功能（UVLO）。
    栅极驱动脉冲驱动器
    0 ROHM

    GRM0335C2AR20WA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM31MR71E105MA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    GCM188L81C124KA37#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM319R11E473KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
    开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    0 INFINEON

    NTMYS1D3N04CTWG

     功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.15mΩ，252 A
    暂无信息
    0 ONSEMI

    FDS6699S

     N 沟道 PowerTrench® SyncFET™，30V，21A，3.6mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GCM1555G1H4R0BA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    F3L11MR12W2M1_B74

     phase leg
    暂无信息
    0 INFINEON

    GRM21BR70J106KA73#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    IPF010N06NF2S

     Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features lowest RDS(on) of 1.05 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
    暂无信息
    0 INFINEON

    GCM21B5C2J182FX0A#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

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