AME
AME5258
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详细说明
主控制回路
该AME5258采用恒定频率，电流
modestep下来的建筑。两个主（ P沟道
MOSFET）和同步（ N沟道MOSFET ）
开关内部。在正常操作中，跨
最终顶部功率MOSFET导通每个周期时，
振荡器设定RS锁存器，并关掉电流时，
租金比较， ICOMP ，复位RS锁存器。高峰
电感器电流在其中ICOMP重置RS锁存器，是
由误差放大器EA的输出控制。当
负载电流增加时，它会导致在略有下降
反馈电压，FB相对于0.6V基准，这
反过来，使EA放大器的输出电压，以增加
直到平均电感电流相匹配的新的负载
电流。而高端MOSFET关断时，底部
MOSFET导通，直到电感器电流
开始反转，由电流反向所指示的COM
parator IRCMP ，或者在下一个时钟周期的开始。
对瞬态过比较OVDET卫士
通过关闭电源开关并保持拍摄>7.8 ％
它关闭，直到故障被排除。
脉冲跳跃模式工作
在轻负载时，电感电流可以达到零或
反向在每个脉冲上。底部MOSFET关闭
由电流反向比较器， IRCMP ，并且开关
电压会响。这是不连续模式操作，
并且是用于开关调节器的正常行为。
短路保护
当输出短路到地，频率
振荡器被减少至约210kHz ， 1/7的公称
最终频率。该频率折返确保
电感电流有更多的时间来衰减，从而预
排气失控。振荡器的频率将progres-
sively增加时， 1.5MHz的V
FB
或V
OUT
上述上升
0V.
1.5MHz的， 600毫安
同步降压转换器
差操作
作为输入电源电压下降到一个值AP-
proaching的输出电压时，占空比增加
向着导通时间的最大值。进一步降低的
电源电压迫使主开关保持开启
一个以上的周期，直到达到100 ％的占空比。
输出电压将随后由输入来确定
电压减去跨越P沟道上的电压降
MOSFET和电感器。一个重要的细节，以remem-
误码率是在低的输入电源电压后，RDS （ON）的
P沟道开关增加（见典型性能
特性） 。因此，用户应计算
当AME5258是用在100％的功率耗散
占空比与低输入电压。
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应用信息
电感的选择
对于大多数应用而言，电感器的值将下降
在1μH至4.7μH的范围内。它的价值选择的基础上
所期望的纹波电流。大的电感值低
纹波电流和小电感值带来更高
纹波电流。较高的V
IN
或V
OUT
也增加了波纹
电流如公式1，一种合理的起点
用于设定纹波电流为IL = 240毫安（ 600毫安的40％）。
∆
IL
=
V
OUT
1
⋅
V
OUT
(
1
−
)
f
⋅
L
V
IN
电感的额定直流电流应至少
等于最大负载电流加上一半的纹波
目前，以防止磁芯饱和。因此， 720毫安额定
电感器应该是足以满足大多数应用（ 600毫安+
120毫安） 。为了提高效率，选择低直流电阻
tance电感。
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Rev.A.05
AMETHERM [ AMETHERM CIRCUIT PROTECTION THERMISTORS ]
