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AM29F040B-70JC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F040B-70JC
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位) CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体 [4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 30 页 / 372 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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P ř Ë L I M I N A RŸ
设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作,这是通过启动
内部命令寄存器。命令寄存器IT-
自不占用任何可寻址存储器地址
化。该寄存器是由存储在锁存器的
命令,随着地址和数据的信息
化需要执行的命令。的内容
寄存器作为输入到内部状态马
折角。状态机输出规定的功能
该设备。相应的设备总线操作
表列出了输入和所需的控制水平,以及
输出结果。以下小节介绍
每个更详细,这些操作。
表1. AM29F040B设备总线操作
手术
CMOS待机
TTL待机
输出禁用
CE#
L
L
V
CC
± 0.5 V
H
L
OE #
L
H
X
X
H
WE#
H
L
X
X
H
A0–A20
A
IN
A
IN
X
X
X
DQ0–DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 12.0
±
0.5 V , X =无所谓,D
IN
=数据输入,D
OUT
=数据输出,A
IN
=地址
注意:
查看扇区保护的部分获得更多信息。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据,系统必须
驱动CE #和OE #引脚V
IL
。 CE#为电源
控制和选择器件。 OE#为输出控制
与门阵列的数据输出管脚。 WE#应该重新
主要在V
IH
.
内部状态机设置为读取阵列
在器件上电数据,或硬件复位后。
这确保了MEM-的无杂散变更
电源转换过程中出现ORY内容。没有
命令是必要的,该模式以获得阵列
数据。标准的微处理器读周期的AS-i
塞尔特有效地址的器件地址输入
生产上的设备数据输出有效数据。该
器保持启用状态进行读访问,直到
命令寄存器的内容被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。参考
在AC读操作表计时规范
tions和为读操作时序图
时序波形。我
CC1
在直流特性
表表示有功电流规范
读阵列数据。
dicate每个扇区占用的地址空间。一
“扇区地址”由所要求的地址位
唯一地选择一个扇区。请参阅“命令Defini-
在擦除扇区或恩范“一节
轮胎芯片,或悬浮/恢复的擦除操作。
系统后写自选命令SE-
quence ,器件进入自动选择模式。该
然后,系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器(它是分开的存储器阵列)
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。请参阅“自选模式”和“自选
命令序列“的详细信息部分。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格
表和时序图,用于写操作。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时,系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
状态“的详细信息,以及每个AC字符
开创性意义部分的时序图。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列(这在 -
cludes编程数据到设备和擦除
的存储器扇区)时,系统必须驱动WE#和
CE#到V
IL
和OE #到V
IH
.
擦除操作可以擦除一个扇区,多节
器,或整个设备。扇区地址表在 -
待机模式
当系统没有读取或写入设备,
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下,电流消耗大大减少,并且
输出被置于高阻抗状态,不知疲倦
下垂的OE #输入。
6
Am29F040B