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    M41000002T 参数 Datasheet PDF下载

    M41000002T图片预览
    型号： M41000002T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32兆位（ 4米×8位/ 2的M× 16位） CMOS 3.0伏只，同步读/写闪存和8兆位（ 1一M× 8位/ 512的K× 16位）静态RAM [32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory and 8 Mbit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) Static RAM]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 66 页 / 1128 K
    品牌： AMD [ AMD ]
     浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第58页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第59页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第60页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第61页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第62页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第64页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第65页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第66页  
    P R E L I M I N A R Y  
    SRAM DATA RETENTION  
    Parameter  
    Symbol  
    Parameter Description  
    Min  
    Typ  
    Max  
    3.3  
    15  
    Unit  
    V
    Test Setup  
    VDR  
    VCC for Data Retention  
    Data Retention Current  
    CS1#s ≥ VCC – 0.2 V (Note 1)  
    1.5  
    VCC = 3.0 V, CE1#s ≥ VCC – 0.2 V  
    (Note 1)  
    1.0  
    (Note 2)  
    IDR  
    µA  
    tSDR  
    tRDR  
    Data Retention Set-Up Time  
    Recovery Time  
    0
    ns  
    ns  
    See data retention waveforms  
    tRC  
    Notes:  
    1. CE1#s ≥ VCC – 0.2 V, CE2s ≥ VCC – 0.2 V (CE1#s controlled) or CE2s ≤ 0.2 V (CE2s controlled), CIOs = VSS or VCC  
    .
    2. Typical values are not 100% tested.  
    Data Retention Mode  
    tRDR  
    tSDR  
    VCC  
    2.7V  
    2.2V  
    VDR  
    CE1#s ≥ VCC  
    -0.2 V  
    CE1#s  
    GND  
    Figure 33. CE1#s Controlled Data Retention Mode  
    Data Retention Mode  
    VCC  
    2.7 V  
    CE2s  
    tSDR  
    tRDR  
    VDR  
    <
    CE2s  
    0.2 V  
    0.4 V  
    GND  
    Figure 34. CE2s Controlled Data Retention Mode  
    62  
    Am41DL32x8G  
    September 5, 2002  

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