欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

A800DB90PF 参数 Datasheet PDF下载

A800DB90PF图片预览
型号: A800DB90PF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位) CMOS 1.8伏只超低电压闪存 [8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 46 页 / 1066 K
品牌: AMD [ AMD ]
 浏览型号A800DB90PF的Datasheet PDF文件第29页浏览型号A800DB90PF的Datasheet PDF文件第30页浏览型号A800DB90PF的Datasheet PDF文件第31页浏览型号A800DB90PF的Datasheet PDF文件第32页浏览型号A800DB90PF的Datasheet PDF文件第34页浏览型号A800DB90PF的Datasheet PDF文件第35页浏览型号A800DB90PF的Datasheet PDF文件第36页浏览型号A800DB90PF的Datasheet PDF文件第37页  
D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Table 13. Erase/Program Operations  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
tAVAV  
Std  
tWC  
tAS  
Description  
Write Cycle Time (Note 1)  
-90  
-100  
-120  
-150  
Unit  
ns  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
90  
100  
120  
150  
tAVWL  
tWLAX  
tDVWH  
tWHDX  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
0
ns  
tAH  
45  
45  
50  
50  
60  
60  
70  
70  
ns  
tDS  
ns  
tDH  
tOES  
Data Hold Time  
0
0
ns  
Output Enable Setup Time  
ns  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
tGHWL  
tGHWL  
Min  
0
ns  
tELWL  
tWHEH  
tWLWH  
tWHWL  
tCS  
tCH  
CE# Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
Typ  
Min  
Min  
Max  
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
CE# Hold Time  
tWP  
Write Pulse Width  
Write Pulse Width High  
45  
50  
60  
70  
tWPH  
30  
5
Byte  
tWHWH1  
tWHWH1 Programming Operation (Notes 1, 2)  
µs  
Word  
7
tWHWH2  
tWHWH2 Sector Erase Operation (Notes 1, 2)  
0.7  
50  
0
sec  
µs  
tVCS  
tRB  
VCC Setup Time  
Recovery Time from RY/BY#  
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay  
ns  
tBUSY  
200  
ns  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. See the Table 16 on page 39 for more information.  
January 23, 2007 27546A6  
Am29SL800D  
31  
 复制成功!