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A400DB90VF 参数 Datasheet PDF下载

A400DB90VF图片预览
型号: A400DB90VF
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 1.8伏只超低电压闪存 [4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 775 K
品牌: AMD [ AMD ]
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A D V A N C E I N F O R M A T I O N  
AC CHARACTERISTICS  
Erase/Program Operations  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
Std.  
Description  
Write Cycle Time (Note 1)  
90  
100  
100  
0
120  
Unit  
ns  
t
t
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
90  
120  
AVAV  
WC  
t
t
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
ns  
AVWL  
WLAX  
DVWH  
WHDX  
AS  
AH  
DS  
DH  
t
t
45  
45  
50  
50  
0
60  
60  
ns  
t
t
ns  
t
t
Data Hold Time  
ns  
t
Output Enable Setup Time  
0
ns  
OES  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
t
t
Min  
0
ns  
GHWL  
GHWL  
t
t
CE# Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
Typ  
Min  
Min  
Min  
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ELWL  
WHEH  
WLWH  
WHWL  
CS  
t
t
t
CE# Hold Time  
CH  
t
Write Pulse Width  
Write Pulse Width High  
45  
50  
30  
5
60  
WP  
t
t
WPH  
Byte  
t
t
t
t
Programming Operation (Notes 1, 2)  
µs  
WHWH1  
WHWH2  
WHWH1  
Word  
7
Sector Erase Operation (Notes 1, 2)  
0.7  
50  
0
sec  
µs  
WHWH2  
t
V
Setup Time  
CC  
VCS  
t
Recovery Time from RY/BY#  
ns  
RB  
t
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay  
200  
ns  
BUSY  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. See Erase and Programming Performance, on page 37 for more information.  
April 13, 2005 Rev. A Amend. +1  
Am29SL400D  
29  
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