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A160CT12VF 参数 Datasheet PDF下载

A160CT12VF图片预览
型号: A160CT12VF
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内容描述: 16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 1.8伏只超低电压闪存 [16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 52 页 / 1031 K
品牌: AMD [ AMD ]
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D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Read Operations  
Parameter  
Speed Option  
JEDEC  
Std  
Description  
Test Setup  
-100  
-120  
-150  
Unit  
tAVAV  
tRC  
Read Cycle Time (Note 1)  
Address to Output Delay  
Min  
100  
100  
120  
150  
150  
ns  
CE# = VIL  
OE# = VIL  
tAVQV  
tACC  
Max  
120  
ns  
tELQV  
tGLQV  
tEHQZ  
tGHQZ  
tCE  
tOE  
tDF  
tDF  
Chip Enable to Output Delay  
OE# = VIL  
Max  
Max  
Max  
Max  
Min  
100  
35  
120  
50  
16  
16  
0
150  
65  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Output Enable to Output Delay  
Chip Enable to Output High Z (Note 1)  
Output Enable to Output High Z (Note 1)  
Read  
Output Enable  
Hold Time (Note 1)  
tOEH  
Toggle and  
Data# Polling  
Min  
Min  
30  
0
ns  
ns  
Output Hold Time From Addresses, CE# or  
OE#, Whichever Occurs First (Note 1)  
tAXQX  
tOH  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. See Figure 11, on page 34 and Table 14, on page 34 for  
test specifications.  
.
tRC  
Addresses Stable  
Addresses  
tACC  
CE#  
tDF  
tOE  
OE#  
tOEH  
WE#  
tCE  
tOH  
HIGH Z  
HIGH Z  
Output Valid  
Outputs  
RESET#  
RY/BY#  
0 V  
Figure 13. Read Operations Timings  
January 23, 2007 21635C5  
Am29SL160C  
35  
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