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    FDN304P

     P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-2.4A，52mΩ
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    10-PG07ORA160RF-LJ53I88T

     Low diode recovery losses;Low reverse recovery time and recovery charge;Designed for high switching frequency
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    GRM1555C2A5R2CA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    IKZA40N120CH7

     TRENCHSTOP™ IGBT7
    双极性晶体管
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    GJM0225C1E1R9CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    IPB018N06NF2S

     Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features low RDS(on) of 1.8 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
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    GCM033R71E102MA03#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    TLE9842QX

     TLE9842QX can be used for the most cost-effective solution for motor control using relays
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    30-P212PMA075M7-L889A79Y

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC
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