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RGW60TK65D

RGW60TK65D是以高速开关为特点的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。
开关双极性晶体管功率因数校正
1 ROHM

ISC060N10NM6

正常电平 ISC060N10NM6 OptiMOS™ 6 系列 100 V 器件在分立式功率 MOSFET 领域树立了全新技术标准。相较于替代产品,英飞凌的领先薄晶圆技术显示出卓越性能优势。
暂无信息
1 INFINEON

GJM0335C1E5R8BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GRM0115C1C8R3BE01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FAN302ULMY

初级侧调节 PWM 控制器
控制器光电二极管
0 ONSEMI

FDZ375P

P 沟道,1.5V 指定,PowerTrench® 薄款 WL-CSP MOSFET,-20V,-3.7A,78mΩ
开关晶体管
1 ONSEMI

GRM0222C1E101JA02#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0222C1H5R9DA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1884C1H1R2CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

IPF010N06NF2S

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features lowest RDS(on) of 1.05 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
暂无信息
0 INFINEON

NTHL022N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
暂无信息
0 ONSEMI

GRM1885C1E621JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM316R61C225MA88#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1887U1H162JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRT0335C1E101JA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA