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    AS6VA25616 参数 Datasheet PDF下载

    AS6VA25616图片预览
    型号： AS6VA25616
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2.7V至3.3V 256K ×16 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能 [2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 175 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS6VA25616的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS6VA25616的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS6VA25616的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS6VA25616的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS6VA25616的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS6VA25616的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS6VA25616的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS6VA25616的Datasheet PDF文件第9页  
    AS6VA25616
    ®
    推荐工作条件（在工作范围内）
    参数
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    IX
    I
    OZ
    描述
    输出高电压
    输出低电压
    输入高电压
    输入低电压
    输入负载电流
    输出负载电流
    V
    CC
    工作电源
    当前
    I
    OH
    = -2.1mA
    I
    OL
    = 2.1毫安
    测试条件
    V
    CC
    = 2.7V
    V
    CC
    = 2.7V
    V
    CC
    = 2.7V
    V
    CC
    = 2.7V
    GND < V
    IN
    ＆ LT ; V
    CC
    GND < V
    O
    ＆ LT ; V
    CC;
    输出高阻
    CS = V
    IL
    , V
    IN
    = V
    IL
    或V
    IH
    , I
    OUT
    = 0毫安，
    f=0
    2.2
    –0.5
    –1
    –1
    民
    2.4
    0.4
    V
    CC
    + 0.5
    0.8
    +1
    +1
    最大
    单位
    V
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    I
    CC
    V
    CC
    = 3.3V
    2
    mA
    I
    CC1
    @
    1兆赫
    CS < 0.2V ，V
    IN
    ＆ LT ; 0.2V
    平均V
    CC
    操作
    或V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    – 0.2V,
    电源电流在1 MHz
    F = 1毫秒
    V
    CC
    = 3.3V
    5
    mA
    I
    CC2
    平均V
    CC
    操作CS
    ≠
    V
    IL
    , V
    IN
    = V
    IL
    or
    电源电流
    V
    IH
    , f = f
    最大
    V
    CC
    = 3.3V （ 55纳秒）
    40
    mA
    I
    SB
    CS > V
    IH
    或UB = LB
    CS掉电电流;
    ＆ GT ; V
    IH
    ，其他投入=
    TTL输入
    V
    IL
    或V
    IH
    , f = 0
    CS > V
    CC
    - 0.2V或
    CS掉电电流; UB = LB > V
    CC
    – 0.2V,
    CMOS输入
    其他输入= 0V -
    V
    CC
    , f = f
    最大
    CS > V
    CC
    – 0.1V,
    UB = LB = V
    CC
    – 0.1V
    f=0
    V
    CC
    = 3.3V
    100
    µ
    A
    I
    SB1
    V
    CC
    = 3.3V
    20
    µ
    A
    I
    SBDR
    数据保留
    V
    CC
    = 1.2V
    2
    µ
    A
    电容（ F = 1兆赫，T
    a
    =室温，V
    CC
    =标称）
    2
    参数
    输入电容
    I / O容量
    符号
    C
    IN
    C
    I / O
    信号的
    A， CS ， WE ， OE ， LB ， UB
    I / O
    测试条件
    V
    IN
    = 0V
    V
    IN
    = V
    OUT
    = 0V
    最大
    5
    7
    单位
    pF
    pF
    10/6/00
    半导体联盟
    3

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