欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AS6C4008-55SIN 参数 Datasheet PDF下载

AS6C4008-55SIN图片预览
型号: AS6C4008-55SIN
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512K ×8位低功耗512K ×8位低功耗CMOS SRAM [512K X 8 BIT LOW POWER 512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 2758 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
 浏览型号AS6C4008-55SIN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS6C4008-55SIN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS6C4008-55SIN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS6C4008-55SIN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS6C4008-55SIN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS6C4008-55SIN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS6C4008-55SIN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS6C4008-55SIN的Datasheet PDF文件第9页  
2007年10月
®
AS6C4008
512K ×8位低功耗CMOS SRAM
写周期1
( WE#控制) ( 1,2,3,5,6 )
t
WC
地址
t
AW
CE#
t
CW
t
AS
WE#
t
WHZ
DOUT
(4)
高-Z
t
DW
DIN
t
DH
T
OW
(4)
t
WP
t
WR
数据有效
写周期2
( CE #控制) ( 1,2,5,6 )
t
WC
地址
t
AW
CE#
t
AS
t
CW
t
WP
WE#
t
WHZ
DOUT
(4)
高-Z
t
DW
DIN
t
DH
t
WR
数据有效
注意事项:
1.我们# ,CE #必须在所有的地址转换高。
低CE # ,低WE#重叠期间发生2.A写。
3.During一个WE#控制的写周期OE #低,T
WP
必须大于吨
WHZ
+ t
DW
以使驾驶者关闭和数据是
放置在总线上。
4.During此期间, I / O引脚的输出状态,输入信号不能被应用。
5.如果CE#同时发生或之后WE#低电平跳变低电平的转换,输出保持在高阻抗状态。
6.t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。
10月/ 10月/ 07 V.1.1
联盟存储器公司
第15 4