2007年2月
®
AS6C2008
修订版1.1
256K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该AS6C2008是2,097,152位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该AS6C2008是精心设计的功耗非常低
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该AS6C2008单电源工作
供应2.7V 〜 3.6V
.
特点
访问时间： 55ns
低功耗：
工作电流： 20毫安（ TYP 。 ）
待机电流：
1µ
A（ TYP。 ） LL-版
单2.7V 〜 3.6V电源
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
所有产品符合RoHS
封装： 32引脚450密耳SOP
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
36球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
操作
温度
VCC范围
速度
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
AS6C2008 （I）的
-40 ~ 85ºC
2
.7 ~ 3.6V
55ns
20µA(L)/1µA(LL)
20mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A17
DQ0 - DQ7
解码器
256Kx8
存储阵列
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A17
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
控制
电路
10 /月/ 07 V.1.0
联盟存储器公司
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