2007年2月
®
AS6C1008
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
特点
访问时间： 55ns
低鲍威ř消费：
工作电流10 mA（典型值）
待机电流： 1 μA （典型值
.)
单2.7V 〜 5.5V PO WE R供应
完全兼容所有5V竞争对手产品
完全兼容所有的竞争对手3.3V产品
充分š tatic操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
所有产品均符合RoHS标准
封装： 32引脚450密耳SOP
32引脚600密耳的P- DIP
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
36球的6mm x 8毫米TFBGA
概述
该AS6C1008是1,048,576位的低鲍威ř
我莫里组织为CMOS静态随机存取
131,072字由8位。它是利用制造已经RY
高性能，高可靠性的CMOS TECHNOLO GY 。其
站ndby电流的RA NGE内保持稳定
工作温度。
该AS6C1008是精心设计的功耗非常低
系统应用程序，一个第二particula RLY非常适用于
电池背面うP的非易失性存储器中的pplication 。
该AS6C1008从单电源供电
的2.7V 〜 5.5V 。
.
功能框图
引脚说明
符号
描述
ADDRES s输入
DA TA输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
POW ER
供应
摹轮
没有C onnection
A0 - A16
DQ0 - DQ7
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
VCC
VSS
A0-A16
解码器
128Kx8
存储阵列
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
控制
电路
02 /月/ 07 ，V 1.0
联盟存储器公司
第14页1
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
