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AS4LC2M8S0-8TC 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	AS4LC2M8S0-8TC
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内容描述：	3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM [3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	29 页 / 720 K
品牌：	ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

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AS4LC2M8S1

AS4LC1M16S1

®

DC电气特性

–7

参数

输入漏电流

输出漏

当前

工作电流

（一银行活动）

预充电待机

电流（功率

关闭模式）

预充电待机

当前（非加电

关闭模式）

主动待机

电流（加电

关闭模式）

主动待机

当前（非加电

断模式， 1

银行主动）

符号

I

IL

I

OL

I

CC1

I

CC2P

I

CC2PS

I

CC2N

I

CC2NS

I

CC3P

I

CC3PS

I

CC3N

I

CC3NS

测试条件

0V

≤

V

IN

≤

V

CC

,

被测= 0V引脚不

D

OUT

残疾人， 0V

≤

V

OUT

≤

V

CCQ

t

RC

≥

分钟，我

O

= 0毫安，

突发长度= 1

CKE

≤

V

IL

（最大值），叔

CK

- 15纳秒

CKE和CLK

≤

V

IL

（最大值），叔

CK

=

∞

CS

≥

V

IH

（分钟）， CKE

≥

V

IH

（ MIN）

t

CK

= 15纳秒;输入信号改变

曾经在30纳秒

CLK

≤

V

IL

（最大）， CKE

≥

V

IH

（ MIN）

t

CK

=

∞;

输入信号稳定

CKE

≤

V

IL

（最大值），叔

CK

- 15纳秒

CLK ， CKE

≤

V

IL

（最大值），叔

CK

=

∞

CKE

≥

V

IH

（分钟）， CS

≥

V

IH

（ MIN）

t

CK

= 15纳秒;输入信号改变

曾经在30纳秒

CKE

≥

V

IH

（分钟）， CLK

≥

V

IL

（最大），

t

CK

=

∞;

输入信号稳定

I

O

= 0毫安

第一阵

所有银行激活

t

CCD

= t

CCD

（分钟）

t

RC

≥

t

RC

（分钟）

CKE

≤

0.2 V

CL = 3

CL = 2

CL = 1

CL = 3

–8

–10

最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位注

–5 +5 –5 +5 –5 +5

µA

–10 +10 –10 +10 –10 +10 µA

–

–

–

–

140

2.0

2.0

30

–

–

–

–

100

2.0

2.0

30

–

–

–

–

百毫安

2.0毫安

2.0毫安

30

毫安1,2,3

1,3,

4,5

–

–

–

–

6

2

2

35

–

–

–

–

6

2

2

35

–

–

–

–

6

2

2

35

毫安1,2,3

毫安1,2,3

毫安1,2,3

毫安1,2,3

–

10

140

125

80

100

2

1

–

–

–

–

–

–

–

10

130

115

70

90

2

1

–

–

–

–

–

–

–

10

120

毫安1,2,3

工作电流

（突发模式）

I

CC4

百毫安

70

80

2

1

mA

mA

mA

1,2,

3,5

1,2,

3,5

15

刷新当前

自刷新电流

CL = CAS延迟。

I

CC5

I

CC6

5/21/01; v.1.1

半导体联盟

29第7页

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