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AS4LC2M8S0-10TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC2M8S0-10TC图片预览

型号：	AS4LC2M8S0-10TC
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM [3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	29 页 / 720 K
品牌：	ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

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AS4LC2M8S1

AS4LC1M16S1

®

通用于所有波形AC参数

符号

t

AC

参数

CLK到有效输出延迟

CAS

潜伏期

3

2

1

–7

民

–

–

–

–

2

0

1

1

2.75

7

8.7

20

1

1

2

2.75

1

2

3

2

1

5

5

4

1

2

1

0

2

2

0

3

2

1

–

–

–

1

最大

5.5

8.5

18

1

–

–

–

–

–

1000

1000

1000

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

5.5

8.5

18

–

民

–

–

–

–

2

0

1

1

3

8

10

25

1

1

2

3

1

2

5

5

4

1

2

1

0

2

2

0

–

–

–

1

–8

最大

6

7

22

1

–

–

–

–

–

1000

1000

1000

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

6

9

22

–

民

–

–

–

–

2

0

1

1

3

10

12

25

1

1

2

3.5

1

2

5

5

4

1

2

1

0

2

2

0

–

–

–

1

–10

最大

6

6

22

1

–

–

–

–

–

1000

1000

1000

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

9

9

22

–

单位

ns

ns

ns

ns

ns

t

CK

t

CK

t

CK

ns

ns

ns

ns

t

CK

ns

ns

ns

ns

ns

t

CK

t

CK

t

CK

ns

t

CK

t

CK

t

CK

t

CK

ns

t

CK

ns

ns

ns

ns

9

13

13

13

5,11

5,11

5,11

12

9

9

9

笔记

6

6,8

6,8

7

7

9

9

9

7

10

10

10

t

AH

地址保持时间

t

AS

地址建立时间

t

BDL

最后的数据到爆站

读/写命令

t

CCD

读/写命令

最后一个数据项到新

t

CDL

列地址的延迟

t

CH

CLK高电平宽度

t

CK

t

CKED

t

长实

t

中正

t

CL

t

CMH

t

CMS

t

DAL

CLK周期时间

CKE到时钟禁用或

掉电输入模式

CKE保持时间

CKE建立时间

CLK低电平宽度

CS ， RAS ， CAS，WE ， DQM

保持时间

CS ， RAS ， CAS，WE ， DQM

建立时间

数据输入到ACTIVE

命令

3

2

1

7

t

DH

数据保持时间

t

DPL

数据进行预充电

t

DQD

DQM输入数据延迟

DQM到数据屏蔽期间

t

DQM

写到

DQM到数据高阻

t

DQZ

在读

t

DS

数据建立时间

写命令的输入

t

DWD

数据延迟

t

HZ

t

LZ

数据输出高阻抗

时间

数据输出低阻抗

时间

5/21/01; v.1.1

半导体联盟

第29页第8

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