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AS4LC256K16EO-35 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC256K16EO-35图片预览
型号: AS4LC256K16EO-35
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内容描述: 3.3V 256K ×16的CMOS DRAM( EDO ) [3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 526 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC256K16EO
®
写周期
-35
标准符号参数
t
ASC
t
CAH
t
AWR
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间RAS
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间RAS
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
数据保持时间为RAS
0
5
28
0
0
28
5
11
11
0
5
28
最大
0
6
35
0
0
35
6
12
12
0
6
35
-45
最大
0
10
40
0
0
40
10
12
12
0
10
45
-60
最大单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
11
11
笔记
读 - 修改 - 写周期
-35
标准符号参数
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
RSH (W)的
t
CAS ( W)
读 - 写周期时间
RAS以拖延时间
CAS以拖延时间
列地址来拖延时间
CAS到RAS保持时间(写)
CAS脉冲宽度(写)
105
54
28
35
10
15
最大
115
58
30
38
10
15
-45
最大
120
60
30
40
12
15
-60
最大单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
11
笔记
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
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