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AS4LC4M4F1-50JI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS4LC4M4F1-50JI
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内容描述: 4M × 4 CMOS DRAM(快速页面), 3.3V系列 [4M×4 CMOS DRAM (Fast Page) 3.3V Family]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 269 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC4M4F1
®
绝对最大额定值
参数
输入电压
输入电压( DQS)
电源电压
存储温度(塑料)
焊接温度·时间
功耗
短路输出电流
符号
V
in
V
DQ
V
CC
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
-1.0
-1.0
-1.0
-55
最大
4.6
4.6
4.6
150
260 × 10
0.432
50
o
单位
V
V
V
°C
Ç Þ秒
W
mA
DC电气特性
-50
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
平均供电
目前, RAS刷新
模式或CBR
快页模式平均
电源电流
CMOS备用电源
电源电流
输出电压
CAS前RAS刷新
当前
自刷新电流
符号
I
IL
I
OL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
OH
V
OL
I
CC6
I
CC7
测试条件
0V
V
in
+V
cc
(最大)
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人, 0V
V
OUT
+ V
cc
(最大)
CAS ,地址骑自行车;吨
RC
=分钟
RAS CAS =
V
IH
RAS骑自行车, CAS
V
IH
,
t
RC
= RAS CAS后低的低分钟。
RAS = V
IL
中国科学院,
针对循环:吨
HPC
=分钟
RAS CAS = = V
CC
- 0.2V
I
OUT
= -2.0毫安
I
OUT
= 2.0毫安
RAS , CAS骑自行车,T
RC
=分钟
RAS
=
CAS
0.2v,
WE
-
OE
V
CC
- 0.2V,
-60
-5
-5
最大
+5
+5
110
2.0
单位
µA
µA
mA
mA
1,2
笔记
-5
-5
最大
+5
+5
120
2.0
120
110
mA
1
2.4
90
2.0
0.4
120
2.4
80
2.0
0.4
110
mA
mA
V
V
mA
1, 2
-
0.6
-
0.6
mA
所有其他输入在0.2V或V
CC
- 0.2V
01年5月16日; V.1.0恢复
半导体联盟
14第3页