AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
®
符号
t
MRD
t
OH
t
PED
t
RAS
t
RC
t
RCAR
t
RCD
t
REF
t
ROH
t
RP
t
RRD
t
T
t
WR
t
XSR
参数
负载模式寄存器
主动/刷新命令
输出数据保持时间@
30 pF的
CKE到时钟使能或
省电模式退出
至预充电
命令
主动命令时期
自动刷新周期
有源读写
延迟
刷新周期-2048
排
数据输出高阻从
预充电/突发停止
命令
预充电命令
期
活跃银行A到活动
银行B命令
转换时间
写恢复时间
退出自刷新到
主动命令
CAS
潜伏期
–7
民
2
最大
–
–
–
–
–
120,000
–
–
–
64
–
–
–
–
–
1.0
–
–
民
2
2.5
2.5
2.5
1
48
80
80
3
–
3
2
1
3
16
0.3
2
80
–8
最大
–
–
–
–
–
120,000
–
–
–
64
–
–
–
–
–
1.0
–
–
民
2
3
3
3
1
50
80
80
3
–
3
2
1
3
20
0.3
2
80
–10
最大
–
–
–
–
–
120,000
–
–
–
64
–
–
–
–
–
1.0
–
–
单位
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
ms
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
ns
20
9
9
9
8
8
笔记
5
6
6
6
3
2
1
2
2
2
1
42
70
70
3
3
–
8
3
2
1
3
3
2
1
3
14
0.3
2
70
笔记
1 I
DD
依赖于输出负载和循环率。指定的值与最小周期时间，输出开获得。
2其他输入信号被允许转换不超过一次，在任何两个时钟周期，并且以其他方式在有效V
IH
或V
IL
的水平。
3地址转换平均一过渡每两个时钟周期。
4我
DD
电流会随着CAS等待时间减少。这是由于这样的事实，即最大周期速率较慢的CAS等待时间的减少。
5 t
CK
= 7纳秒为-7 ， 8纳秒为-8 ，和10ns为-10 。
6如果时钟吨
r
> 1纳秒， （T
r/2
- 0.5）纳秒应该被添加到该参数。
7如果时钟（T
r
和T
f
） > 1纳秒， [ （叔
r
+ t
f
）/ 2 - 1]纳秒应该被添加到该参数。
8 V
IH
过冲： V
IH（ MAX）的
= V
DDQ
+ 2V的脉宽
≤
3纳秒，脉冲宽度不能的周期率大于三分之一。 V
IL
冲：
V
IL （ MIN ）
= -2V的脉冲宽度
≤
3纳秒的脉冲宽度不能的周期率大于三分之一。
9所需时钟由JEDEC functionalisty指定的，并且不依赖于任何定时参数。
10的时钟频率必须保持或进入预充电状态时不变（读，写，包括T
WR
和预充电命令） 。 CKE可能
用于减小数据速率。
11时间居然指定的T
WR
再加吨
RP
;时钟（多个）指定为只在最小循环速率的基准。
12时间实际上为t指定
WR
.
13 t
HZ
限定在其输出达到开路状态的时间;它不是一个参考到V
OH
或V
OL
。最后一个有效的数据元素将满足吨
OH
才去HIGH -Z 。
在此期间， 14 CLK的必须进行切换的最小的2倍。
15使芯片的刷新和地址计数器。
16所有电压参考V
SS
.
17最小的说明仅用于指示循环时间在该正确的操作，在整个温度范围（0 ℃下
≤
T
A
≤
70 ℃）是
忍着。
5/21/01; v.1.1
半导体联盟
29日第9页
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
